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半導體元件物理與製作技術(第三版)

作(譯)者:

施 敏李明逵曾俊元

定 價:NT$900
一般會員價:NT$855
一般折扣:95折
人氣指數: ★★★★★


出版日:2017/4/28
ISBN(13碼):9789866301568
書號:10469
791頁 / 20 K / 單色

架上類別:
電子類 >> VLSI技術


 

         
矽晶圓半導體材料技術(第四版)(精裝本) 半導體元件物理學(第三版)(上冊) 半導體製程概論(增訂版) 半導體元件物理學(第三版)(下冊) 矽元件與積體電路製程(修訂二版)


■ 本書特色
1.全書分三個階段,第一部份介紹『半導體物理』、第二部分介紹『半導體元件』、第三部分則介紹『半導體製程』
2.內含許多範例,希望藉著特定問題,加強基礎的觀念
3.每章後皆有總結,闡述重要的觀念,並可幫學生做複習
4.本書亦可當作工程師及科學界需要知道新元件和技術發展之參考用書

■ 內容簡介
施敏教授從事元件及製程之研究與發展迄今五十餘年,以「非揮發性記憶體」的發明,奠定其半導體界的地位;李明逵教授從事半導體物理元件教學多年。本書是學生學習應用物理、電機電子及材料科學等領域的必備基礎教材,也是工程師及科學界需要知道最新元件和技術發展的最佳參考。

■ 目錄
第零章 簡介
0.1 半導體元件
0.2 半導體製作技術
總結

第一部份 半導體物理

第一章 熱平衡時的能帶其載子濃度
1.1 半導體材料
1.2 基本晶體結構
1.3 共價鍵
1.4 能帶
1.5 本質載子濃度
1.6 施體與受體
總結

第二章 載子傳輸現象
2.1 載子漂移
2.2 載子擴散
2.3 產生與復合過程
2.4 連續方程式
2.5 熱離子發射過程
2.6 穿遂過程
2.7 空間電荷效應
2.8 高電場效應
總結

第二部分 半導體元件

第三章 正一負接面
3.1 熱平衡狀態
3.2 空乏區
3.3 空乏層電容
3.4 電流-電壓特性
3.5 儲存電荷和暫態行為
3.6 接面崩潰
3.7 異質接面
總結

第四章 雙載子電晶體及其相關元件
4.1 電晶體之行為
4.2 雙載子電晶體之靜態特性
4.3 雙載子電晶體之頻率響應與切換
4.4 非線性效應
4.5 異質接面雙載子電晶體
4.6 閘流體及其相關功率元件
總結

第五章 金氧半電容及金氧半場效電晶體
5.1 理想金氧半電容
5.2 二氧化矽-矽金氧半電容
5.3 金氧半電容載子傳輸
5.4 電荷耦合元件
5.5 基礎金氧半場效電晶體
總結

第六章 先進金氧半場效電晶體及其相關元件
6.1 金氧半場效電晶體微縮
6.2 互補式金氧半與雙載子互補式金氧半
6.3 絕緣層上金氧半場效電晶體
6.4 金氧半記憶體結構
6.5 功率金氧半場效電晶體
總結

第七章 金半場效電晶體及其相關元件
7.1 今半接觸
7.2 今半場效電晶體
7.3 調變慘雜場效電晶體
總結

第八章 微波二極體,量子效應和熱電子元件
8.1 基本微波技術
8.2 穿遂二極體
8.3 衝渡二極體
8.4 轉移電子元件
8.5 量子效應元件
8.6 熱電子元件
總結

第九章 發光二極體及雷射
9.1 輻射轉換與光的吸收
9.2 發光二極體
9.3 不同型態之發光二極體
9.4 半導體雷射
總結

第十章 光感測器及太陽能電池
10.1 光檢測器
10.2 太陽電池
10.3 矽與化合物半導體太陽能電池
10.4 第三代太陽能電池
10.5 聚光
總結

第三部分 半導體製作技術
第十一章 晶體成長和磊晶
11.1 從熔融液之矽晶成長
11.2 矽的浮帶製程
11.3 砷化鎵的成長技術
11.4 材料特性
11.5 磊晶的成長技術
11.6 磊晶層的結構和缺陷
總結

第十二章 薄膜形成
12.1 熱氧化
12.2 介電質之化學氣相沉積
12.3 複晶矽之化學相沉積
12.4 原子層沉積
12.5 金屬化製程
總結

第十三 微影與蝕刻
13.1 光學微影
13.2 下世代微影技術
13.3 濕式化學蝕刻
13.4 乾蝕刻
總結

第十四章 雜質摻雜
14.1 基本擴散製程
14.2 外質擴散
14.3 擴散相關製程
14.4 佈植離子射程
14.5 佈植損壞與退火
14.6 佈植相關製程
總結

第十五章 積體元件
15.1 被動元件
15.2 雙載子電晶體技術
15.3 金氧半場效電晶體技術
15.4 金半場效電晶體技術
15.5 微電子之挑戰
總結

附 錄
A. 符號表
B. 國際單位系統
C. 單位字首
D. 希臘字母
E. 物理常數
F. 300K 時主要元素和二元化合物半導體的特性
G. 300K 時矽和砷化鎵的特性
H. 半導體狀態密度之推導
I. 間接復合之復合率推導
J. 對稱共振穿遂二極體之傳送係數計算
K. 基本氣體動力理論
L. 奇數題解答


 
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